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期刊论文 [3]
发表日期
2019 [3]
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发表日期:2019
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Charge trapping effect in HfO2-based high-k gate dielectric stacks after heavy ion irradiation: The role of oxygen vacancy
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 459, 页码: 143-147
作者:
Li, Zongzhen
;
Liu, Tianqi
;
Bi, Jinshun
;
Yao, Huijun
;
Zhang, Zhenxing
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提交时间:2022/01/19
High-k HfO2
Heavy ion irradiation
Reliability
Charge trapping
Oxygen vacancy
Latent Reliability Degradation of Ultrathin Amorphous HfO2 Dielectric After Heavy Ion Irradiation: The Impact of Nano-Crystallization
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 10, 页码: 1634-1637
作者:
Li, Zongzhen
;
Liu, Jie
;
Zhai, Pengfei
;
Liu, Tianqi
;
Bi, Jinshun
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提交时间:2022/01/19
HfO2
heavy ion irradiation
reliability degradation
crystallization
The total ionizing dose effects of X-ray irradiation on graphene/Si Schottky diodes with a HfO2 insertion layer
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:
Xu, YN (Xu, Yannan)[ 1,2 ]
;
Bi, JS (Bi, Jinshun)[ 1,2 ]
;
Li, YD (Li, Yudong)[ 3 ]
;
Xi, K (Xi, Kai)[ 1 ]
;
Fan, LJ (Fan, Linjie)[ 4 ]
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提交时间:2020/01/19
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