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片上集成半导体激光器结构及其制备方法 专利
专利号: CN109586159A, 申请日期: 2019-04-05, 公开日期: 2019-04-05
作者:  杨成奥;  牛智川;  张宇;  徐应强;  谢圣文
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基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN109217109A, 申请日期: 2019-01-15, 公开日期: 2019-01-15
作者:  谢圣文;  牛智川;  张宇;  徐应强;  邵福会
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渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109149368A, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04
作者:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥
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2.1 μ m InGaSb quantum well lasers exhibiting the maximum conversion efficiency of 27.5% with digitally grown AlGaAsSb barriers and gradient layers 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 130, 页码: 339-345
作者:  Shengwen Xie ;   Chengao Yang ;   ShuShan Huang ;   Ye Yuan ;   Yi Zhang ;   Jinming Shang ;   Chenyuan Cai ;   Yu Zhang ;   Yingqiang Xu ;   Haiqiao Ni ;   Zhichuan Niu
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