| 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法 | |
| 张一; 牛智川; 张宇; 徐应强; 杨成奥; 谢圣文; 邵福会; 尚金铭 | |
| 2019-01-04 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN109149368A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法，其中，渐变掺杂宽波导带间级联激光器，包括：衬底；以及自下而上依次外延的下波导包层、下分别限制层、级联区、上分别限制层、上波导包层、以及上接触层；其中，下分别限制层和上分别限制层的厚度为百纳米到微米量级，并且下分别限制层和上分别限制层都是渐变掺杂，使得下分别限制层和上分别限制层的两端掺杂浓度相对较高，中心区域掺杂浓度相对较低。该渐变掺杂宽波导带间级联激光器有效提高了光学限制因子，增加光学增益；有效的降低异质结面的电压降，提高光电效率，可以减小串联电阻，减小自由载流子吸收，减小器件的损耗；并能降低工作电压，提高工作效率。 |
| 公开日期 | 2019-01-04 |
| 申请日期 | 2018-08-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92313]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张一,牛智川,张宇,等. 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法. CN109149368A. 2019-01-04. |
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