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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The Optimization of Gate All Around-L-Shaped Bottom Select Transistor in 3D NAND Flash Memory 期刊论文 Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Xia ZL(夏志良);  Chen GX(陈国星);  Zhang Y(张瑜);  Jiang DD(姜丹丹) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/22 A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  An Zhang;  Hongtao Liu;  Zou XQ(邹兴奇);  Jin L(靳磊) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/22 Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Chen GX(陈国星);  Zhang Y(张瑜);  Jiang DD(姜丹丹);  Jin L(靳磊) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/22