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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation 会议论文 作者:  Li DL(李多力);  Zhu HP(朱慧平);  Chen X(陈曦);  Zheng ZS(郑中山);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/13 Radiation Effects on Al2O3 Thin Films 会议论文 作者:  Zhu HP(朱慧平);  Chen X(陈曦);  Zheng ZS(郑中山);  Li DL(李多力);  Gao JT(高见头) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/13 Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies 期刊论文 Microelectronic Engineering, 2018 作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Zhang D(张丹);  Luo X(罗雪) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/05 TiSixGey  Ge PAI  Si Ge   Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Ye TC(叶甜春);  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Luo X(罗雪) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/05 An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure 期刊论文 IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Luo JJ(罗家俊);  Li BH(李彬鸿);  Han ZS(韩郑生);  Zhao X(赵星) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/27 Tuning the electrical and optical anisotropy of a monolayer black phosphorus magnetic superlattice 期刊论文 Nanotechnology, 2018 作者:  Luo K(骆堃);  X J LI;  Yu JH(余嘉晗);  Wu ZH(吴振华);  W Yang 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/05