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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路 专利 专利号: CN201410811710.2, 申请日期: 2017-12-12, 公开日期: 2015-06-03 作者:  韩郑生;  罗家俊;  宿晓慧;  李欣欣;  郝乐 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/02/08 MOS控制晶闸管（MCT）的di/dt优化设计 会议论文 作者:  胡飞;  宋李梅;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/20 一种SRAM灵敏放大器电路设计 专利 专利号: CN201510202580.7, 申请日期: 2017-11-24, 公开日期: 2015-07-22 作者:  李欣欣;  郝乐;  刘海南;  韩郑生;  罗家俊 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/02/07 System Anslysis and PHM Methods for Power Devices Based on Physics-of-Failure 会议论文 作者:  Gao B(高博);  Wang LX(王立新);  Zhang YL(张宇隆);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/20 Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells 会议论文 作者:  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/07/20 极端低温下SiGe HBT器件研究进展 期刊论文 微电子学, 2017 作者:  杨玲;  黄云波;  韩郑生;  李博 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/05/16 An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure 会议论文 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Li BH(李彬鸿);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Huang Y(黄杨) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20 Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Yang L(杨玲);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/20 辐射探测电路 专利 专利号: CN201410594524.8, 申请日期: 2017-09-15, 公开日期: 2015-02-11 作者:  韩郑生;  刘梦新;  刘鑫;  赵发展 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2018/02/08 一种SRAM型存储器的纠错电路 专利 专利号: CN201310642317.0, 申请日期: 2017-08-29, 公开日期: 2014-03-05 作者:  韩郑生;  刘鑫;  赵发展 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2018/02/07