Roles of  the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells

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	Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells
	Han ZS(韩郑生); Luo JJ(罗家俊); Zheng ZS(郑中山)
	2017-10-25
文献子类	会议期刊
语种	英语
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18251]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Han ZS,Luo JJ,Zheng ZS. Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells[C]. 见:.