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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210495187.8, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2014-06-11
作者:  殷华湘;  洪培真;  秦长亮;  尹海洲;  王桂磊
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Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2017
作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson
收藏  |  浏览/下载:48/0  |  提交时间:2018/07/09
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210333081.8, 申请日期: 2017-06-16, 公开日期: 2014-03-26
作者:  钟汇才;  朱慧珑;  梁擎擎;  叶甜春;  尹海洲
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不同剂量健腰密骨片对骨形成和小鼠骨髓间充质干细胞BMP-7、OC表达的影响 期刊论文
中华中医药杂志, 2017, 卷号: 32, 期号: 6
作者:  杨洲;  崔镇海;  赵长伟;  尹宏兵;  赵文海
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Silk Ligation Delay for the Random Pattern Flap 期刊论文
2017, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 104-107
作者:  Liu, Lei;  Zhang, Chen;  Tong, Haizhou;  Song, Tao;  Yin, Ningbei
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Midface Distraction Osteogenesis Using a Modified External Device With Elastic Distraction for Crouzon Syndrome 期刊论文
2017, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 1573-1577
作者:  Tong, Haizhou;  Liu, Lei;  Tang, Xiaojun;  Song, Tao;  Yin, Ningbei
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