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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tuning of few-electron states and optical absorption anisotropy in GaAs quantum rings 期刊论文 Phys. Chem. Chem. Phys., 2017 作者:  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2018/07/05 FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超);  Yin HX(殷华湘);  Zhong HC(钟汇才);  Zhang QZ(张青竹) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/26 Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Yang L(杨玲);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/20 Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文 Microelectronic Engineering, 2017 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/07/09 Spin-polarized charge trapping cell based on a topological insulator quantum dot 期刊论文 RSC Advances, 2017 作者:  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2018/07/05 Improved Operation Characteristics for Nonvolatile Charge-Trapping Memory Capacitors with High-Dielectrics and SiGe Epitaxial Substrates 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Hou CZ(侯朝昭) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05 pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Yang T(杨涛) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/05 Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Henry Homayoun Radamson;  Zhao C(赵超);  Zhu HL(朱慧珑) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/05 Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition 期刊论文 Chin. Phys. B, 2017 作者:  Wang XL(王晓磊);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Ma XL(马雪丽);  Zhu HL(朱慧珑) 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2018/06/08 Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文 International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017 作者:  Henry Homayoun Radamson;  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Qin ZL(秦长亮);  Luo J(罗军) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05