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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2017    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Probing the semiconductor to semimetal transition in InAs/GaSb double quantum wells by magneto-infrared spectroscopy 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: 045116 作者:  Y. Jiang;  S. Thapa;  G. D. Sanders;  C. J. Stanton;  Q. Zhang 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/06/01 The effect of Bi composition on the electrical properties of InP1–xBix 期刊论文 Physics,Mechanics & Astronomy, 2017, 卷号: 60, 期号: 4, 页码: 047022 作者:  GuanNan Wei;  Xing Dai;  Qi Feng;  WenGang Luo;  YiYang Li 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/06/15 Coherent Transport in a Linear Triple Quantum Dot Made from a Pure-Phase InAs Nanowire 期刊论文 Nano Lett., 2017, 卷号: 17, 页码: 4158−4164 作者:  Ji-Yin Wang;  Shaoyun Huang;  Guang-Yao Huang;  Dong Pan;  Jianhua Zhao 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/07/02 Foreign-catalyst-free growth of InAs/InSb axial heterostructure nanowires on Si (111) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 Nanotechnology, 2017, 卷号: 28, 页码: 135704 (9pp) 作者:  Hyok So;  Dong Pan;  Lixia Li;  Jianhua Zhao 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/02 Near Full-Composition-Range High-Quality GaAs1−xSbx Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy 期刊论文 Nano Letters, 2017, 卷号: 17, 页码: 622−630 作者:  Lixia Li;  Dong Pan;  Yongzhou Xue;  Xiaolei Wang;  Miaoling Lin 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/07/02 GaAsSb/InAs core-shell nanowires grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 724, 页码: 659-665 作者:  Lixia Li;  Dong Pan;  Hyok So;  Xiaolei Wang;  Zhifeng Yu 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/07/02 Damage-free and rapid transfer of CVD-grown two-dimensional transition metal dichalcogenides by dissolving sacrificial water-soluble layers 期刊论文 Nanoscale, 2017, 卷号: 9, 页码: 19124 作者:  Lili Zhang;  Chenyu Wang;  Xue-Lu Liu;  Tao Xu;  Mingsheng Long 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2018/06/15