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一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者:  史晶晶;  白云;  刘可安;  申华军;  汤益丹
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Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system 期刊论文
Chinese Physics B, 2015
作者:  Liu XY(刘新宇);  Tang YD(汤益丹);  Liu KA(刘可安);  Shen HJ(申华军);  Wu J(吴佳)
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Thermal stability of Ni/Ti/Al ohmic contacts to p type 4H-SiC 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
作者:  Wu YD(吴煜东);  Tang YD(汤益丹);  Bai Y(白云);  Zhang XF(张旭芳);  Yu HL(于海龙)
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