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微电子研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2015 [3]
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发表日期:2015
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一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法
专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者:
史晶晶
;
白云
;
刘可安
;
申华军
;
汤益丹
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2016/06/20
Charge trapping behavior and its origin in Al2O3/SiC MIS system
期刊论文
Chinese Physics B, 2015
作者:
Liu XY(刘新宇)
;
Tang YD(汤益丹)
;
Liu KA(刘可安)
;
Shen HJ(申华军)
;
Wu J(吴佳)
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2016/05/26
Thermal stability of Ni/Ti/Al ohmic contacts to p type 4H-SiC
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
作者:
Wu YD(吴煜东)
;
Tang YD(汤益丹)
;
Bai Y(白云)
;
Zhang XF(张旭芳)
;
Yu HL(于海龙)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2016/05/26
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