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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文 journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05 Twinned SiC nanowires  Electronic properties  Ab initio  Modeling and simulation  SILICON-CARBIDE NANOWIRES  FIELD-EMISSION PROPERTIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS NANOWIRES  GROWTH  NANOTUBES  NITRIDE  DIFFUSION  NANORODS  ENERGY   GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection 期刊论文 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413 Su SJ; Cheng BW; Xue CL; Wang W; Cao QA; Xue HY; Hu WX; Zhang GZ; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：70/5  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PERFORMANCE  SEMICONDUCTORS  SILICON   Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 Wang W; Su SJ; Zheng J; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：98/7  |  提交时间：2011/07/05 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport  SURFACE  GROWTH  EVOLUTION  DECAY   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Localized surface optical phonon mode in the InGaN/GaN multiple-quantum-wells nanopillars: Raman spectrum and imaging 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113115 Zhu JH; Ning JQ; Zheng CC; Xu SJ; Zhang SM; Yang H 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  LASER-DIODES  GAN  NANOWIRES   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH   Implantable CMOS neuro-stimulus chip for visual prosthesis 期刊论文 science china-information sciences, 2011, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 898-908 作者:  Guo K;  Zhang X;  Huang BJ 收藏  |  浏览/下载：47/4  |  提交时间：2011/07/05 biomedical microelectronics  visual prosthesis  functional electrical stimulation  acute animal experiment  electrical evoked potential (EEP) test  RETINAL PROSTHESIS  STIMULATION  DEVICE  BLIND   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：55/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1