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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface 外文期刊 2010 作者:  Liu, XY;  Bai, Y;  Liu, J;  Ma, P;  Li, B 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 N-type Gan  Electronic-properties  Oxide  Damage  Ingan  Algan   Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications 外文期刊 2010 作者:  Liu, Q;  Wang, Y;  Liu, M;  Yang, JH;  Zuo, QY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Rram   Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications 外文期刊 2010 作者:  Liu, M;  Liu, S;  Liu, Q;  Zhang, MH;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Zro2   ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application 外文期刊 2010 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zuo, QY;  Shao, LB;  Wang, Q 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Nonvolatile Memory  Diode  Antifuse  Device  Al2o3