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	ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application
	Li, YT; Long, SB; Zuo, QY; Shao, LB; Wang, Q; Zhang, S; Yang, SQ; Wang, Y; Liu, M; Liu, Q
	2010
内容类型	外文期刊
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8934]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	Li, YT,Long, SB,Zuo, QY,et al. ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application. 2010.

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