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Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25
作者:  Liu Xingfang
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Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films 期刊论文
thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994
作者:  Li Y
收藏  |  浏览/下载:360/38  |  提交时间:2010/03/08


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