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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106 Ma, ZF; Zhao, DG; Wang, YT; Jiang, DS; Zhang, SM; Zhu, JJ; Liu, ZS; Sun, BJ; Yang, H; Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283 作者:  Ji L;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：60/5  |  提交时间：2010/03/08 MOCVD growth of InN using a GaN buffer 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85 作者:  Yang H;  Wang LL;  Wang H;  Yang H;  Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：52/1  |  提交时间：2010/03/08 surface