×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [9]
武汉大学 [1]
内容类型
其他 [10]
发表日期
2008 [10]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2008
内容类型:其他
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
ARCHITECTURE OF sigma(54)-DEPENDENT PROMOTERS: INTERPLAY BETWEEN CRP-cAMP AND P-11-NTR SYSTEMS FORMS A NOVEL REGULATORY NETWORK BETWEEN CARBON METABOLISM AND NITROGEN ASSIMILATION IN ESCHERICHIA COLI
其他
2008-01-01
Wang, Y. -P.
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Novel structural Ti/Al-based ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures
其他
2008-01-01
Dong, Zhihua
;
Wang, Jinyan
;
Yu, Min
;
Hao, Yilong
;
Wen, C. P.
;
Wang, Yangyuan
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/10
AlGaN/GaN
ohmic contacts
surface morphology
PERFORMANCE
HEMTS
POWER
Understanding the resistance switching mechanisms of binary metal oxides with the percolation model
其他
2008-01-01
Yang, J. F.
;
Liu, L. F.
;
Sun, B.
;
Tang, H.
;
Xu, N.
;
Wang, Y.
;
Liu, X. Y.
;
Han, R. Q.
;
Kang, J. F.
;
Ma, T. P.
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/10
BREAKDOWN
Transient leakage current technique for MIS HEMT (A12O3/AlGaN/GaN) dielectric semiconductor interface property characterization
其他
2008-01-01
Wen, Cheng P.
;
Wang, Jinyan
;
Chen, Hongwei
;
Hao, Y.L.
;
Lau, K.M.
;
Tang, C.W.
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/10
Evidence of mobile holes on GaN HFET barrier layer surface - root cause of high power transistor amplifier current collapse
其他
2008-01-01
Wen, Cheng P.
;
Wang, Jinyan
;
Hao, Yilong
;
Zhang, Yaohui
;
Lau, Keimay
;
Tang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/10
Evidence of Mobile Holes on GaN HFET Barrier Layer Surface - Root Cause of High Power TransistorAmplifier Current Collapse
其他
2008-01-01
Wen, Cheng P.
;
Wang, Jinyan
;
Hao, Yilong
;
Zhang, Yaohui
;
Lau, Keimay
;
Tang
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Transient Leakage Current Technique for MIS HEMT (Al(2)O(3)/AlGaN/GaN) Dielectric Semiconductor Interface Property Characterization
其他
2008-01-01
Wen, Cheng P.
;
Wang, Jinyan
;
Chen, Hongwei
;
Hao, Y. L.
;
Lau, K. M.
;
Tang, C. W.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Enhanced device performance of AlGaN/GaN HEMTs using thermal oxidation of electron-beam deposited Aluminum for gate oxide
其他
2008-01-01
Chen, Hongwei
;
Wang, Jinyan
;
Xu, Chuan
;
Yu, Min
;
Fu, Yang
;
Dong, Zhihua
;
Xu, Fujun
;
Hao, Yilong
;
Wen, Cheng P.
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/13
AlGaN/GaN MOS-HEMTs
leakage current
thermal oxidation
electron-beam evaporation
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL2O3
Experimental evidence of surface mobile holes on GaNHEMT structure
其他
2008-01-01
Wen, C. P.
;
Wang, J. Y.
;
Hao, Y. L.
;
Shen, B.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
Comment on "Coherent control of a V-type three-level system in a single quantum dot'' - Reply
其他
2008-01-01
作者:
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/05
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace