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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：51/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106 作者:  Li XY;  Jiang DS;  Yang H;  Zhu JJ;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   The influence of V/III ratio in the initial growth stage on the properties of GaN epilayer deposited on low temperature AlN buffer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 414-418 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/29 V/III ratio   Stability of GaAs photocathodes under different intensities of illumination 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 10, 页码: 6109-6113 Zou JJ (Zou Ji-Jun); Chang BK (Chang Ben-Kang); Yang Z (Yang Zhi); Gao P (Gao Pin); Qiao JL (Qiao Jian-Liang); Zeng YP (Zeng Yi-Pine) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/29 GaAs photocathode