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浏览/检索结果: 共32条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2004    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Crack-free inalgan quaternary alloy films grown on si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 作者:  Wu, JJ;  Li, DB;  Lu, Y;  Han, XX;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  Si(111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan   Depth distribution of the strain in the gan layer with low-temperature aln interlayer on si(111) substrate studied by rutherford backscattering/channeling 期刊论文 Applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564 作者:  Lu, Y;  Cong, GW;  Liu, XL;  Lu, DC;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of nano-structures on composition-modulated inalas surfaces 期刊论文 Journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 43, 页码: 7603-7610 作者:  Zhao, FA;  Chen, YH;  Ye, XL;  Jin, P;  Xu, B 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in alxga1-xn-gan quantum well 期刊论文 Journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573 作者:  Li, JM;  Lu, YW;  Li, DB;  Han, XX;  Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an alxga1-xn/gan heterostructure 期刊论文 Physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008 作者:  Han, XX;  Li, DB;  Yuan, HR;  Sun, XH;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of crack-free gan films on si(111) substrate by using al-rich aln buffer layer 期刊论文 Journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988 作者:  Lu, Y;  Cong, GW;  Liu, XL;  Lu, DC;  Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum-confined stark effect and built-in dipole moment in self-assembled inas/gaas quantum dots 期刊论文 Applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 14, 页码: 2791-2793 作者:  Jin, P;  Li, CM;  Zhang, ZY;  Liu, FQ;  Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization of inas quantum dots on lattice-matched inalgaas/inp superlattice structures 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 364-369 作者:  Huang, XQ;  Liu, FQ;  Che, XL;  Liu, JQ;  Lei, W 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Transmission electron microscopy  X-ray diffraction  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Semiconducting iii-v materials   Thermal annealing effect on inas/ingaas quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186 作者:  Shi, GX;  Jin, P;  Xu, B;  Li, CM;  Cui, CX 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Semiconductor iii-v material  Laser device   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane algan/gan heterostructures 期刊论文 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508 作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconducting iii-v materials