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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2004    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Patterned buried oxide layers under a single MOSFET to improve the device performance 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: L25-L28 Dong, YM; Chen, M; Chen, J; Wang, X; Wang, X; He, P; Lin, X; Tian, LL; Li, ZJ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 SOI MOSFETS  IMPLANTATION  SEPARATION   Optimized implant dose and energy to fabricate high-quality patterned SIMOX SOI materials 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2004, 卷号: 130, 期号: 3-4, 页码: 275-279 Dong, YM; Chen, J; Wang, X; Chen, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON-ON-INSULATOR  OXYGEN-ION-IMPLANTATION  SEPARATION  EVOLUTION  DESIGN   Comparative study of SOI/Si hybrid substrates fabricated using high-dose and low-dose oxygen implantation 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 37, 期号: 13, 页码: 1732-1735 Dong, YM; Chen, M; Chen, J; Wang, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  ION-IMPLANTATION  SILICON  OXIDATION   Synthesis and thermal conductivity measurement of high-integrity ultrathin oxygen-implanted buried oxide layers 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004, 卷号: 43, 期号: 4B, 页码: 2185-2187 Dong, YM; Chen, J; Chen, M; Wang, X; He, P; Tian, LL; Liu, LT; Li, ZJ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24