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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:1999
学科主题:半导体材料
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Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 530-533
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
收藏
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提交时间:2010/08/12
dislocation
stacking faults
vacancy
strain relaxation
silicon
germanium
SI(100)
LAYERS
FILMS
THREADING DISLOCATION
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
THREADING DISLOCATION
SI(100)
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