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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:1999
学科主题:半导体材料
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Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612
作者:
Ye XL
;
Xu B
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InGaAs/InGaAlAs
adjusting layer
molecular beam epitaxy
high index
GAAS
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