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近代物理研究所 [56]
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Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 1012, 页码: 11
作者:
Wang, Shu
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
He, Ze
;
Huang, Zhiqin
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2021/12/08
SerDes
SRAM-based FPGA
Single Event Upset
Single Event Functional Interrupt
Investigation of single event effect in 28-nm system-on-chip with multi patterns*
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 5
作者:
Yang, Wei-Tao
;
Li, Yong-Hong
;
Guo, Ya-Xin
;
Zhao, Hao-Yu
;
Li, Yang
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2021/12/15
system-on-chip
heavy ion
single event effect
Evaluation Method of Heavy-Ion-Induced Single-Event Upset in 3D-Stacked SRAMs
期刊论文
ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 8, 页码: 14
作者:
Zhao, Peixiong
;
Liu, Tianqi
;
Cai, Chang
;
He, Ze
;
Li, Dongqing
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/12/15
Monte-Carlo simulation
single-event upset
test standard
three-dimensional integrated circuits
ultrahigh-energy heavy ion
Silicon equivalent gas in silicon equivalent proportional counter - Monte Carlo simulations
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2020, 卷号: 167, 页码: 4
作者:
Chiang, Yueh
;
Chao, Tsi-Chian
;
Cho, I-Chun
;
Lee, Chung-Chi
;
Hong, Ji-Hong
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2022/01/19
Silicon equivalent gas
Silicon equivalent proportional counter
Monte Carlo simulation
Linear energy transfer
Single event effect
SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12
作者:
Cai, Chang
;
Gao, Shuai
;
Zhao, Peixiong
;
Yu, Jian
;
Zhao, Kai
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2022/01/19
field-programmable gate arrays
embedded block memory
single event
fault tolerance
radiation effect
Heavy-ion induced radiation effects in 50 nm NAND floating gate flash memories
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 102, 页码: 6
作者:
Yin, Ya-nan
;
Liu, Jie
;
Liu, Tian-qi
;
Ye, Bing
;
Ji, Qing-gang
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2022/01/19
Annealing
Flash memories
Heavy ions
Retention errors
Single event upset
Design and verification of universal evaluation system for single event effect sensitivity measurement in very-large-scale integrated circuits
期刊论文
IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2019, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 6
作者:
Xu, Liewei
;
Cai, Chang
;
Liu, Tianqi
;
Ke, Lingyun
;
Yu, Jun
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2019/11/10
FPGA
single event effects
heavy ions
irradiation
Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOS-based thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 11
作者:
Zhao, Pei-Xiong
;
Geng, Chao
;
Zhang, Zhan-Gang
;
Liu, Jie
;
Li, Xiao-Yuan
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2019/11/10
Anti-fuse PROM
Single event effects
Heavy ions
Pulsed laser
Space error rate
Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7
作者:
Ji, Qinggang
;
Liu, Jie
;
Li, Dongqing
;
Liu, Tianqi
;
Ye, Bing
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2019/11/10
Ferroelectric random access memory
Total ionizing dose
Single event effect
TCAD simulation
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