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科研机构
近代物理研究所 [8]
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期刊论文 [6]
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2020 [2]
2016 [2]
2014 [1]
1998 [3]
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An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8
作者:
Li, Dongqing
;
Liu, Tianqi
;
Wu, Zhenyu
;
Cai, Chang
;
Zhao, Peixiong
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/12/13
TCAD
FinFET
SCR
SEL
A new method for directly locating single-event latchups using silicon pixel sensors in a gas detector
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2020, 卷号: 962, 页码: 6
作者:
Li, Zili
;
Fan, Yan
;
Wang, Zhen
;
Liu, Jun
;
Sun, Xiangming
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2022/01/18
SEL
Topmetal
CMOS
Silicon pixel sensor
Track projection
Experimental study on heavy ion single-event effects in flash-based FPGAs
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2016, 卷号: 27, 页码: 8
作者:
Liu, Tian-Qi
;
Yang, Zhen-Lei
;
Liu, Jie
;
Wang, Xiao-Hui
;
Su, Hong
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/05/31
Single-event effects (SEEs)
Flash-based FPGAs
HIRFL
Heavy ion experiments
Single event effect hardness for the front-end ASICs in the DAMPE satellite BGO calorimeter
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 页码: 6
作者:
Gao, Shan-Shan
;
Jiang, Di
;
Feng, Chang-Qing
;
Xi, Kai
;
Liu, Shu-Bin
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/05/31
space electronics
single event effects
radiation hardness
heavy ion
pulsed laser
Radiation tolerance studies on the VA32 ASIC for DAMPE BGO calorimeter
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2014, 卷号: 25
作者:
Gao Shan-Shan
;
Feng Chang-Qing
;
Jiang Di
;
Liu Shu-Bin
;
Zhang Zhan-Gang
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2018/07/05
Radiation Effects
See
Tid
Asic
Va32hdr14.2
Heavy ion induced single event effects in semiconductor device
会议论文
作者:
Liu, J
;
Ma, F
;
Hou, MD
;
Sun, YM
;
Quan, JM
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/08/20
single event effect
heavy ion bombardment
large scale integrate circuit
Heavy ion induced single event effects in semiconductor device
会议论文
作者:
Liu, J
;
Ma, F
;
Hou, MD
;
Sun, YM
;
Quan, JM
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/08/20
single event effect
heavy ion bombardment
large scale integrate circuit
Heavy ion induced single event effects in semiconductor device
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1998, 卷号: 135, 期号: 1-4, 页码: 239-243
作者:
Zhong, YJ
;
Liu, J
;
Ma, F
;
Hou, MD
;
Sun, YM
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2011/08/26
single event effect
heavy ion bombardment
large scale integrate circuit
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