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Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利
专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
作者:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS
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Passivation of the resonator end faces of semiconductor lasers based on iii-v semiconductor material 专利
专利号: US20040032893A1, 申请日期: 2004-02-19, 公开日期: 2004-02-19
作者:  HAUSLER, KARL;  KIRSTAEDTER, NILS
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Process for fabricating semiconductor laser emitting apparatus 专利
专利号: US20020022285A1, 申请日期: 2002-02-21, 公开日期: 2002-02-21
作者:  NARUI, HIRONOBU
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Blue light-emitting device 专利
专利号: US5798537, 申请日期: 1998-08-25, 公开日期: 1998-08-25
作者:  NITTA, KOICHI
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Modulated strain heterostructure light emitting device 专利
专利号: US5373166, 申请日期: 1994-12-13, 公开日期: 1994-12-13
作者:  BUCHAN, NICHOLAS I.;  HEUBERGER, WILLI;  ROENTGEN, PETER
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Semiconductor device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1990192120A, 申请日期: 1990-07-27, 公开日期: 1990-07-27
作者:  OSAKA SHIGEO;  KOMATSUBARA SATOO
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P-n device having an epitaxial multilayer structure 专利
专利号: GB2030767A, 申请日期: 1980-04-10, 公开日期: 1980-04-10
作者:  -
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