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Indium selenide saturable absorber for high-energy nanosecond Q-switched pulse generation 期刊论文
APPLIED OPTICS, 2021, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 427-432
作者:  Li, Lu;  Wang, Yao;  Jin, Wei;  Zhao, Qiyi;  Su, Yulong
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Burn-in preform and method of making the same 专利
专利号: US20190128953A1, 申请日期: 2019-05-02, 公开日期: 2019-05-02
作者:  GROSS, THOMAS R.;  JARRETT, ROBERT;  LANZA, JR., ANTHONY D.;  MERRITT, CRAIG K.
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/31
Indium selenide as a saturable absorber for a wavelength-switchable vector-soliton fiber laser 期刊论文
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2019, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 449–456
作者:  Wang, Guomei;  Chen, Guangwei;  Li, Wenlei;  Zhang, Wenfu;  Zeng, Chao
收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2019/03/20
Bond and release layer transfer process 专利
专利号: US10164144, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2018-12-25
作者:  HENLEY, FRANCOIS J.;  KANG, SIEN;  ZHONG, MINGYU;  LI, MINGHANG
收藏  |  浏览/下载:94/0  |  提交时间:2019/12/24
Active-control optical resonator 专利
专利号: US10031354, 申请日期: 2018-07-24, 公开日期: 2018-07-24
作者:  VO, SONNY;  HUANG, ZHIHONG;  CHEN, CHIN-HUI;  PELC, JASON SCOTT;  FIORENTINO, MARCO
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24
Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element 专利
专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20
作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  AKASAKI, ISAMU;  AKAGI, TAKANOBU
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Dielectrophoresis-actuated in-plane optofluidic lens with tunability of focal length from negative to positive 期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2018, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 6532-6541
作者:  Chen, Qingming;  Li, Tenghao;  Zhu, Yujiao;  Yu, Weixing;  Zhang, Xuming
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Study on the near-field non-linearity (SMILE) of high power diode laser arrays 会议论文
San Francisco, CA, United states, 2018-01-30
作者:  Zhang, Hongyou;  Jia, Yangtao;  Li, Changxuan;  Zah, Chung-En;  Liu, Xingsheng
收藏  |  浏览/下载:57/0  |  提交时间:2018/04/25
Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN 专利
专利号: PL228535B1, 申请日期: 2017-11-06, 公开日期: 2018-04-30
作者:  STAŃCZYK SZYMON;  KAFAR ANNA;  CZERNECKI ROBERT;  SUSKI TADEUSZ;  PERLIN PIOTR
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Iii-nitride light emitting diodes with tunnel junctions wafer bonded to a conductive oxide and having optically pumped layers 专利
专利号: WO2017136832A1, 申请日期: 2017-08-10, 公开日期: 2017-08-10
作者:  MUGHAL, ASAD J.;  KOWSZ, STACY J.;  FARRELL, ROBERT M.;  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.
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