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The phase transitions and magnetocaloric effects in Ga-doped Heusler Ni50Mn36Sn14 alloys 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 1
作者:  Cao, Kaiyan;  Wang, Dingchen;  Tian, Fanghua;  Zhao, Qizhong;  Chang, Tieyan
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Highly efficient and tunable white light emission of Sn2+-Dy3+co-doped fluorophosphate glasses 期刊论文
Optical Materials Express, 2018, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 1780-1787
作者:  Zheng, Jiajin;  Lu, Qiang;  Zheng, Ruilin;  Zou, Hui;  Yu, Kehan
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1996034330B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29
作者:  宮沢 誠一
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利
专利号: JP1996004182B2, 申请日期: 1996-01-17, 公开日期: 1996-01-17
作者:  八木 克己
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利
专利号: JP1995022213B2, 申请日期: 1995-03-08, 公开日期: 1995-03-08
作者:  八木 克己
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser of modulation doping quantum well structure with stopper against dopant dispersion and manufacturing method thereof 专利
专利号: US5319657, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07
作者:  OTSUKA, NOBUYUKI;  KITO, MASAHIRO;  ISHINO, MASATO;  MATSUI, YASUSHI
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Manufacture of semiconductor laser device 专利
专利号: JP1992326786A, 申请日期: 1992-11-16, 公开日期: 1992-11-16
作者:  ATSUNUSHI FUMIHIRO;  OKUMURA TOSHIYUKI;  MORIOKA TATSUYA
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Semiconductor optical negative feedback amplifier 专利
专利号: JP1991053579A, 申请日期: 1991-03-07, 公开日期: 1991-03-07
作者:  YAMADA HIROHITO
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1990090690A, 申请日期: 1990-03-30, 公开日期: 1990-03-30
作者:  UCHIDA MAMORU
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989170083A, 申请日期: 1989-07-05, 公开日期: 1989-07-05
作者:  UNNO TSUNEHIRO;  WAJIMA MINEO;  TATE HISAFUMI;  TOYOSHIMA TOSHIYA;  OOKAWA YOSHINORI
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