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一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN108923255A, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2018-11-30
作者:  张保平;  任伯聪;  陈衍晖;  应磊莹;  郑志威
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Light-emitting element and method of manufacturing the same 专利
专利号: US20150349226A1, 申请日期: 2015-12-03, 公开日期: 2015-12-03
作者:  SHINOHARA, HIRONAO
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激光二极管用珀耳贴模块 专利
专利号: CN104603965A, 申请日期: 2015-05-06, 公开日期: 2015-05-06
作者:  寺内康祐;  山梨正孝;  石川秀行;  小西明夫
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一种制备具有扩散阻挡层Mo的n型GaSb欧姆接触的方法 专利
专利号: CN102255243A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
作者:  李俊承;  王跃;  芦鹏;  王玉霞;  李林
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Semiconductor laser device including transparent electrode 专利
专利号: US7826512, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
作者:  UEDA, TETSUZO;  YURI, MASAAKI
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Semiconductor composite device, method for manufacturing the semiconductor composite device, LED head that employs the semiconductor composite device, and image forming apparatus that employs the LED head 专利
专利号: US7811841, 申请日期: 2010-10-12, 公开日期: 2010-10-12
作者:  OGIHARA, MITSUHIKO
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一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法 专利
专利号: CN101383480B, 申请日期: 2010-06-09, 公开日期: 2010-06-09
作者:  李睿;  胡晓东;  徐科;  代涛;  陈伟华
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Substrate for device bonding and method for manufacturing same 专利
专利号: US7626264, 申请日期: 2009-12-01, 公开日期: 2009-12-01
作者:  YOKOYAMA, HIROKI
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サブマウントおよびその製造方法 专利
专利号: JP2008227395A, 申请日期: 2008-09-25, 公开日期: 2008-09-25
作者:  竹本 洋平;  砂本 昌利
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P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法 专利
专利号: CN101162751A, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16
作者:  方亮;  张淑芳;  彭丽萍;  董建新;  刘高斌
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