CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共59条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Improvements in Brazed-Joint Properties of Silicon Nitride and Titanium Alloys Using Laser-Induced Microscale Rice Leaf Structures 期刊论文
MATERIALS, 2022, 卷号: 15, 期号: 19
作者:  He, Jian-Guo;  Dai, Shou-Jun;  Zhao, Yang;  Huang, Min;  Liu, Yang
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/10/28
III-V nitride substrate boule and method of making and using the same 专利
专利号: US7915152, 申请日期: 2011-03-29, 公开日期: 2011-03-29
作者:  VAUDO, ROBERT P.;  FLYNN, JEFFREY S.;  BRANDES, GEORGE R.;  REDWING, JOAN M.;  TISCHLER, MICHAEL A.
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24
EL semiconductor device 专利
专利号: US7899104, 申请日期: 2011-03-01, 公开日期: 2011-03-01
作者:  KISHINO, KATSUMI;  NOMURA, ICHIRO;  ASATSUMA, TSUNENORI;  TASAI, KUNIHIKO;  TAMAMURA, KOSHI
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26
Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control 专利
专利号: US7781244, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:  ITO, SHIGETOSHI;  YUASA, TAKAYUKI;  UETA, YOSHIHIRO;  TANEYA, MOTOTAKA;  TANI, ZENPEI
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/24
Tuneable photonic crystal lasers and a method of fabricating the same 专利
专利号: US6711200, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23
作者:  SCHERER, AXEL;  PAINTER, OSKAR
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26
Holographic properties of BR-D96N film and its application in hologram aberration correction 期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 671-673
作者:  Zheng, Y;  Yao, BL;  Wang, YL;  Menke, N;  Lei, M
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/11/12
Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking 专利
专利号: US6455337, 申请日期: 2002-09-24, 公开日期: 2002-09-24
作者:  SVERDLOV, BORIS N.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser. 专利
专利号: NL194568C, 申请日期: 2002-07-02, 公开日期: 2002-07-02
作者:  TAE KYUNG YOO;  JONG SEOK KIM
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Compound semiconductor device based on gallium nitride 专利
专利号: US6388275, 申请日期: 2002-05-14, 公开日期: 2002-05-14
作者:  KANO, TAKASHI
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26
Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction 专利
专利号: US5831295, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者:  HUANG, JENN-HWA;  TEHRANI, SAIED N.
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace