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Electronically pumped surface-emitting photonic crystal laser 专利
专利号: US10340659, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
作者:  LIN, KUO-JUI;  HSU, MING-YANG;  CHEN, YU-CHEN
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Lift-off method 专利
专利号: US20190115494A1, 申请日期: 2019-04-18, 公开日期: 2019-04-18
作者:  KOYANAGI, TASUKU;  TAKEUCHI, HIROKI
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Surface emitting laser structure 专利
专利号: US20180019573A1, 申请日期: 2018-01-18, 公开日期: 2018-01-18
作者:  WANG, JONATHAN;  HSIEH, PEI-CHIN;  WANG, PEI-JIH;  CHENG, SHIH-CHIEH
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
On-chip optical isolator 专利
专利号: US20170269395A1, 申请日期: 2017-09-21, 公开日期: 2017-09-21
作者:  HECK, JOHN;  HUTCHISON, DAVID N.;  SUN, JIE;  RONG, HAISHENG;  KIM, WOOSUNG
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/31
Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng
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VECSEL  MOVPE  InGaAs  
Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文
journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/07/15
Laser diode  MOCVD  GaAs  InP  
MBE growth of a semiconductor laser diode 专利
专利号: US7867799, 申请日期: 2011-01-11, 公开日期: 2011-01-11
作者:  HOOPER, STEWART;  BOUSQUET, VALERIE;  JOHNSON, KATHERINE L.;  KAUER, MATTHIAS;  HEFFERNAN, JONATHAN
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24
Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-ZnO films, p-type ZnO films, and ZnO-based II-VI compound semiconductor devices 专利
专利号: US7824955, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
作者:  WHITE, HENRY W.;  RYU, YUNGRYEL;  LEE, TAE-SEOK
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Multi-band multiwavelength quantum dot mode-locked lasers 专利
专利号: US20100142566A1, 申请日期: 2010-06-10, 公开日期: 2010-06-10
作者:  LIU, JIAREN;  LU, ZHENGUO;  RAYMOND, SYLVAIN;  POOLE, PHILIP;  BARRIOS, PEDRO
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device 专利
专利号: US7635872, 申请日期: 2009-12-22, 公开日期: 2009-12-22
作者:  ASANO, HIDEKI
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