|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 脊形半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107645122A, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2018-01-30
作者: 黄莹; 李德尧; 刘建平; 张立群; 张书明
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 半导体激光器及其制造方法 专利
专利号: CN105576503A, 申请日期: 2016-05-11, 公开日期: 2016-05-11
作者: 奥田哲朗
收藏 | 浏览/下载：99/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN104752954A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
作者: 林涛; 张浩卿; 孙航; 郭恩民; 孙锐娟
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 基于预处理衬底GaN外延生长及器件研究 学位论文
博士: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007
彭冬生
收藏 | 浏览/下载：60/0 | 提交时间：2011/10/09
|
| 半导体激光器及其制造方法 专利
专利号: CN1610995A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
作者: 佐藤典文; 今西大介
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 脊形波导型半导体激光装置 专利
专利号: CN1445892A, 申请日期: 2003-10-01, 公开日期: 2003-10-01
作者: 三桥丰; 泷口透; 花卷吉彦
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
