低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 | |
杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺; 梁锋 | |
2019-06-11 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN109873299A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 |
英文摘要 | 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法,制备方法包括:对衬底(10)进行退火及表面清洁,并在衬底(10)上依次外延生长n型GaN层(11)、n型AlGaN限制层(12)、非故意掺杂下波导层(13)、InGaN/GaN多量子阱发光层(14)、p型AlGaN电子阻挡层(15)、非故意掺杂上波导层(16)、p型AlGaN限制层(17)和p型欧姆接触层(18),其中,InGaN/GaN多量子阱发光层(14)包括InGaN阱层和GaN垒层,生长GaN垒层时通入TMIn源,以抑制GaN垒层中V型缺陷的形成,消除InGaN/GaN多量子阱中常见的V型缺陷,从而降低器件反向漏电、减少器件吸收损耗并提高量子阱热稳定性。 |
公开日期 | 2019-06-11 |
申请日期 | 2019-02-14 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92410] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,朱建军,等. 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法. CN109873299A. 2019-06-11. |
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