×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [55]
内容类型
期刊论文 [51]
会议论文 [4]
发表日期
2020 [1]
2011 [4]
2010 [3]
2009 [2]
2008 [5]
2007 [12]
更多...
学科主题
半导体材料 [11]
半导体物理 [11]
光电子学 [10]
半导体化学 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共55条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
C2v and D3h symmetric InAs quantum dots on GaAs (001) substrate: Exciton emission and a defect field influence
期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 8, 页码: 085126
作者:
Xiangjun Shang
;
Ben Ma
;
Haiqiao Ni
;
Zesheng Chen
;
Shulun Li
;
Yao Chen
;
Xiaowu He
;
Xingliang Su
;
Yujun Shi
;
Zhichuan Niu
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2021/06/28
Gaas-based long-wavelength inas quantum dots on multi-step-graded ingaas metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 5
作者:
He Ji-Fang
;
Wang Hai-Li
;
Shang Xiang-Jun
;
Li Mi-Feng
;
Zhu Yan
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
The explanation of inn bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
Physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Liu, Chaoren
;
Li, Jingbo
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:59/6
  |  
提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Hybrid point/ring-defect photonic crystal VCSEL with high spectral purity and high output power
期刊论文
laser physics, 2011, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 379-382
Liu AJ
;
Chen W
;
Qu HW
;
Zhou WJ
;
Zheng WH
收藏
  |  
浏览/下载:47/3
  |  
提交时间:2011/07/06
SURFACE-EMITTING LASERS
SEMICONDUCTOR-LASERS
ARRAYS
EMISSION
Experimental Demonstration on Structure-Parameter Dependence of Photonic Crystal Optical Spectrum
会议论文
6th international conference on nanoscience and technology, beijing, peoples r china, jun 04-06, 2007
Wang CX
;
Kan Q
;
Xu XS
;
Du W
;
Chen HD
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/03/09
Transmission Spectra
Hydride vapor phase epitaxy growth of semipolar, 10(1)over-bar(3)over-bargan on patterned m-plane sapphire
期刊论文
Journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: H721-h726
作者:
Wei, T. B.
;
Hu, Q.
;
Duan, R. F.
;
Wei, X. C.
;
Yang, J. K.
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Atomic force microscopy
Crystal orientation
Etching
Gallium compounds
Iii-v semiconductors
Photoluminescence
Red shift
Scanning electron microscopy
Semiconductor epitaxial layers
Semiconductor thin films
Vapour phase epitaxial growth
X-ray diffraction
The characteristic of the stero-coupling high-Q photonic crystal slab cavity
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8548-8553
作者:
Jiang B
收藏
  |  
浏览/下载:83/7
  |  
提交时间:2011/07/06
double layers photonic crystal slabs cavity
dipole mode
quality factor
Pade approximation
RESONANT FREQUENCIES
PADE-APPROXIMATION
QUALITY FACTORS
WAVE-GUIDES
COMPUTATION
NANOCAVITY
EMISSION
DEFECT
Experimental demonstration on structure-parameter dependence of photonic crystal optical spectrum
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1045-1047
作者:
Wang, Chunxia
;
Kan, Qiang
;
Xu, Xingsheng
;
Du, Wei
;
Chen, Hongda
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Transmission spectra
Photonic crystal
Silicon-on-insulator
Experimental Demonstration on Structure-Parameter Dependence of Photonic Crystal Optical Spectrum
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1045-1047
Wang CX
;
Kan Q
;
Xu XS
;
Du W
;
Chen HD
收藏
  |  
浏览/下载:270/61
  |  
提交时间:2010/03/08
Transmission Spectra
Photonic Crystal
Silicon-on-Insulator
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace