×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [21]
内容类型
期刊论文 [19]
会议论文 [2]
发表日期
2017 [1]
2010 [2]
2004 [3]
2001 [8]
2000 [5]
1997 [2]
更多...
学科主题
半导体材料 [6]
半导体物理 [5]
光电子学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共21条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Anisotropically biaxial strain in non-polar (112-0) plane InxGa1-xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 卷号: 7, 页码: 4497
作者:
Guijuan Zhao
;
Huijie Li
;
Lianshan Wang
;
Yulin Meng
;
Zesheng Ji
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2018/05/23
Evaluation of both composition and strain distributions in ingan epitaxial film using x-ray diffraction techniques
期刊论文
Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 7
作者:
Guo Xi
;
Wang Hui
;
Jiang De-Sheng
;
Wang Yu-Tian
;
Zhao De-Gang
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Ingan
In-plane grazing incidence x-ray diffraction
Reciprocal space mapping
Biaxial strain
Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106802
Guo X (Guo Xi)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/11/02
InGaN
In-plane grazing incidence x-ray diffraction
reciprocal space mapping
biaxial strain
CRITICAL LAYER THICKNESS
OPTICAL-PROPERTIES
LATTICE-CONSTANTS
GAN
HETEROSTRUCTURES
ALLOYS
WELLS
Structural and optical properties of gaassb/gaas heterostructure quantum wells
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341
作者:
Jiang, DS
;
Bian, LF
;
Liang, XG
;
Chang, K
;
Sun, BQ
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Quantum wells
Gaassb/gaas
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:284/63
  |  
提交时间:2010/03/09
molecular beam epitaxy
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Comprehensive analysis of microtwins in the 3c-sic films on si(001) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44
作者:
Zheng, XH
;
Qu, B
;
Wang, YT
;
Dai, ZZ
;
Han, JY
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Chemical vapor deposition processes
Silicon carbide
X-ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic gan layers grown on (001)gaas substrate
期刊论文
Thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33
作者:
Qu, B
;
Zheng, XH
;
Wang, YT
;
Feng, ZH
;
Liu, SA
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gallium nitride
X-ray diffraction
Microtwins and twin inclusions in the 3c-sic epilayers grown on si(001) by apcvd
期刊论文
Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782
作者:
Zheng, XH
;
Qu, B
;
Wang, YT
;
Dai, ZZ
;
Yang, H
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
3c-sic
Microtwins
X-ray four-circle diffractometer
Apcvd
Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal x-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic gan/gaas(001) epilayers
期刊论文
Science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503
作者:
Qu, B
;
Zheng, XH
;
Wang, YT
;
Feng, ZH
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Four-circle diffraction
Gan
Phase content
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace