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半导体研究所 [14]
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期刊论文 [13]
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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Spin splitting of conduction subbands in al0.3ga0.7as/gaas/alxga1-x as/al0.3ga0.7as step quantum wells
期刊论文
Epl, 2009, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 5
作者:
Hao, Y. F.
;
Chen, Y. H.
;
Liu, Y.
;
Wang, Z. G.
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:82/4
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提交时间:2010/03/08
EMISSION
SPECTRA
LASERS
8-BAND
Spin splitting of conduction subbands in Al0.3Ga0.7As/GaAs/AlxGa1-x As/Al0.3Ga0.7As step quantum wells
期刊论文
epl, 2009, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: art. no. 37003
Hao YF
;
Chen YH
;
Liu Y
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:156/43
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提交时间:2010/03/08
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
RASHBA
LAYERS
Investigation of mode characteristics for microdisk resonators by S-matrix and three-dimensional finite-difference time-domain technique
期刊论文
journal of the optical society of america b-optical physics, 2006, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 1068-1073
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
WHISPERING-GALLERY MODES
LASERS
CAVITIES
APPROXIMATION
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
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浏览/下载:90/0
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提交时间:2010/04/11
GAAS
SPECTROSCOPY
PARAMETERS
TRANSPORT
LASERS
ENERGY
STATES
HOLE
Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures
期刊论文
journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79
Kong LM (Kong Lingmin)
;
Cai JF (Cai Jiafa)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Gong Z (Gong Zheng)
;
Fang ZD (Fang Zhidan)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/04/11
InGaAs layer
InAs quantum dots
time-resolved PL spectra
1.3 MU-M
CARRIER DYNAMICS
LASERS
GROWTH
WAVELENGTH
EMISSION
ISLANDS
LAYERS
SIZE
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
Fabrication of semiconductor optical amplifiers and a novel gain measuring technique
会议论文
6th chinese optoelectronics symposium, kowloon, peoples r china, sep 12-14, 2003
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/10/29
SPECTRA
LASERS
Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:77/2
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
ELECTRON-PHONON INTERACTIONS
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
CARRIER TRANSFER
INAS
GAAS
LASERS
ISLANDS
GROWTH
GAIN
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