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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [3]
期刊论文 [1]
发表日期
2007 [1]
2004 [1]
2003 [1]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111)
会议论文
33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006
Wang, XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang, XL (Wang, Xiaoliang)
;
Wang, BZ (Wang, Baozhu)
;
Xiao, HL (Xiao, Hongling)
;
Liu, HX (Liu, Hongxin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
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浏览/下载:125/38
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提交时间:2010/03/29
BUFFER LAYER
STRESS
PHOTODIODES
REDUCTION
DETECTORS
SAPPHIRE
EPITAXY
GROWTH
Photoluminescence of doped zns nanoparticles under hydrostatic pressure
期刊论文
Physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 14, 页码: 3248-3256
作者:
Li, GH
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
;
Xu, SJ
收藏
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浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/15
STRESS
GROWTH
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