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半导体研究所 [27]
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期刊论文 [27]
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专题:半导体研究所
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Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:
Cao YL
;
Yang T
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/07/05
WELL LASERS
DEPENDENCE
DIODE
GAIN
Comprehensive thermal characterization using ruby R fluorescence lines of sapphire and GaNE(2)-high Raman mode from Raman spectra in high-power flip-chip InGaN/GaN LEDs
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 35, 页码: 355101
Cui M
;
Zhou TF
;
Wang MR
;
Huang J
;
Huang HJ
;
Zhang JP
;
Xu K
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
TEMPERATURE-MEASUREMENTS
GAN
SCATTERING
DEPENDENCE
JUNCTION
PHONONS
ALN
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Different growth mechanisms of bimodal in as/gaas qds
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Zhou, G. Y.
;
Chen, Y. H.
;
Zhou, X. L.
;
Xu, B.
;
Ye, X. L.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/12/12
DEPENDENCE
SPECTRA
High Characteristic Temperature InGaAsP/InP Tunnel Injection Multiple-Quantum-Well Lasers
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: art. no. 114201
Wang Y (Wang Yang)
;
Qiu YP (Qiu Ying-Ping)
;
Pan JQ (Pan Jiao-Qing)
;
Zhao LJ (Zhao Ling-Juan)
;
Zhu HL (Zhu Hong-Liang)
;
Wang W (Wang Wei)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/12/05
AUGER RECOMBINATION
THRESHOLD CURRENT
DEPENDENCE
DEVICE
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Ye XL
;
Zhou XL
收藏
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浏览/下载:41/3
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提交时间:2011/07/05
INAS QUANTUM DOTS
GAAS(001)
RELAXATION
TRANSITION
GAAS
Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102
作者:
Su SJ
;
Xue CL
收藏
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浏览/下载:51/1
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提交时间:2010/03/08
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
SILICON
GAP
Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Wang, BR
;
Ma, SS
;
Zhou, R
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2010/03/08
EXCHANGE INTERACTION
GAAS
PRESSURE
DEPENDENCE
AMPLIFIERS
ELECTRON
EMISSION
EXCITONS
PHOTONS
SPECTRA
Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121
Liu, HY
;
Meng, ZM
;
Dai, QF
;
Wu, LJ
;
Guo, Q
;
Hu, W
;
Liu, SH
;
Lan, S
;
Yang, T
收藏
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
ENERGY RELAXATION
ELECTRON RELAXATION
CAPTURE
PHONON
INAS
GAAS
TEMPERATURE
DEPENDENCE
DENSITY
TIME
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