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半导体研究所 [34]
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专题:半导体研究所
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The Influence of Anode Trench Geometries on Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes
期刊论文
ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 282
作者:
Xiuxia Yang
;
Zhe Cheng
;
Zhiguo Yu
;
Lifang Jia
;
Lian Zhang
;
Yun Zhang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2021/11/26
Impact of graphene interlayer on performance parameters of sandwich structure Pt/GaN Schottky barrier diodes
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 40, 页码: 404003
作者:
J X Ran
;
B Y Liu
;
X L Ji
;
A Fariza
;
Z T Liu
;
J X Wang
;
P Gao
;
T B Wei
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/05/24
High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 068502
Kang, H
;
Wang, Q
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/03/25
High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions
期刊论文
chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 7302
Zheng Liu, Zhang Feng, Liu Sheng-Bei, Dong Lin, Liu Xing-Fang, Fan Zhong-Chao, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Sun Guo-Sheng, He Zhi, Yang Fu-Hua
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/03/26
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 17103
Cao, ZF
;
Lin, ZJ
;
Lu, YJ
;
Luan, CB
;
Yu, YX
;
Chen, H
;
Wang, ZG
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/03/20
Schottky barrier light emitting diode in standard CMOS technology
期刊论文
group iv photonics (gfp), 2011 8th ieee international conference on, 2011, 页码: 296-298
Huang, Beiju
;
Wang, Wei
;
Dong, Zan
;
Zhang, Zanyun
;
Guo, Weilian
;
Chen, Hongda
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/06/13
CMOS integrated circuits
Diodes
Light
Light emission
Photonics
Schottky barrier diodes
Semiconducting silicon compounds
Semiconductor diodes
Charge Separation in Wurtzite/Zinc-Blende Heterojunction GaN Nanowires
期刊论文
chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/12/05
SILICON NANOWIRES
CATALYTIC GROWTH
BAND OFFSETS
SOLAR-CELLS
SEMICONDUCTORS
SUPERLATTICES
EFFICIENCY
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Hao XP (Hao Xiao-Peng)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Wei L (Wei Long)
收藏
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/05/24
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
REVERSE-BIAS LEAKAGE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-N-JUNCTIONS
POSITRON-ANNIHILATION
DIODES
FILMS
An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 058501
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Wang H
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浏览/下载:195/36
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL GAN
HETEROJUNCTION
DETECTORS
PHOTODIODES
LAYER
Effect of co on characteristics of algan/gan schottky diode
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3025-3027
作者:
Feng Chun
;
Wang Xiao-Liang
;
Yang Cui-Bai
;
Xiao Hong-Ling
;
Zhang Ming-Lan
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
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