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半导体研究所 [30]
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专题:半导体研究所
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High operating temperature pBn barrier mid-wavelength infrared photodetectors and focal plane array based on InAs/InAsSb strained layer superlattices
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2020, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 17611-17619
作者:
Gongrong Deng
;
Dongqiong Chen
;
Shaopei Yang
;
Chaowei Yang
;
Jun Yuan
;
Wenyun Yang
;
Yiyun Zhang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2021/06/16
Growth of Ge1-xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beam epitaxy
期刊论文
superlattices and microstructures, 2013, 卷号: 64, 页码: 543
Su, SJ
;
Zhang, DL
;
Zhang, GZ
;
Xue, CL
;
Cheng, BW
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/04/04
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:105/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Investigation of ge-si atomic interdiffusion in ge nano-dots multilayer structure by double crystal x-ray diffraction
期刊论文
Journal of materials science & technology, 2007, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 301-303
作者:
Shi, Wenhua
;
Zhao, Lei
;
Luo, Liping
;
Wang, Qiming
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Gesi
Nano-dots
Annealing
Island
Selective growth of inas islands on patterned gaas (100) substrate
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453
作者:
Cui, CX
;
Chen, YH
;
Ren, YY
;
Xu, B
;
Jin, P
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
Patterned substrate
Molecular beam epitaxy
Quantum dots
Inas
Gaas
Ingaas
Tuning of emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots sandwiched by combination layers
会议论文
2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Gong, M (Gong, Meng)
;
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:113/32
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提交时间:2010/03/29
quantum dots
photoluminescence
combination layer
1.3 MU-M
LASERS
INALAS
Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2010/04/11
patterned substrate
molecular beam epitaxy
quantum dots
InAs
GaAs
InGaAs
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FABRICATION
Growth and magnetic properties of zincblende CrSb epilayers on relaxed and strained (In, Ga)As buffers
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 493-496
作者:
Zheng YH
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浏览/下载:204/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MULTILAYER
CRAS
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
3rd international conference on materials for advanced technologies/9th international conference on advanced materials, singapore, singapore, jul 03-08, 2005
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:110/24
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提交时间:2010/03/29
molecular beam epitaxy
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:81/0
  |  
提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
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