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半导体研究所 [44]
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Detection and analysis of residual strain of epitaxial Ge films on Si substrates
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2012, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 1749-1753
Zhou, Zhi-Wen
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/04/19
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M
;
Wang, XL
;
Pan, X
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/01/06
GaN
MOCVD
Si(111)
AlN
VAPOR-PHASE EPITAXY
LAYERS
SUBSTRATE
MOCVD
STRESS
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Normal incidence p-i-n ge heterojunction photodiodes on si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
Optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407
作者:
Zhou, Zhiwen
;
He, Jingkai
;
Wang, Ruichun
;
Li, Cheng
;
Yu, Jinzhong
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/05/12
Germanium
Hererojunction
Photodiode
Tensile strain
Strain-compensated ingaas/inalas quantum cascade detector of 4.5 mu m operating at room temperature
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Kong Ning
;
Liu Jun-Qi
;
Li Lu
;
Liu Feng-Qi
;
Wang Li-Jun
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Quantum Cascade Detector of 4.5 mu m Operating at Room Temperature
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038501
Kong N (Kong Ning)
;
Liu JQ (Liu Jun-Qi)
;
Li L (Li Lu)
;
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Wang LJ (Wang Li-Jun)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:195/33
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提交时间:2010/04/22
WELL INFRARED PHOTODETECTORS
LASER
Application of Raman spectroscopy in carbon nanotube-based polymer composites
期刊论文
chinese science bulletin, 2010, 卷号: 55, 期号: 35, 页码: 3978-3988
作者:
Tan PH
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浏览/下载:101/2
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提交时间:2011/07/05
Raman spectroscopy
carbon nanotube
composites
CNT macroarchitecture
RADIAL BREATHING MODE
DIAMETER DISTRIBUTION
WALL
SCATTERING
FIBERS
SENSORS
STRESS
FUNCTIONALIZATION
NANOCOMPOSITES
OXIDATION
Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray diffraction
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: art. no. 076804
Guo X (Guo Xi)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Qiu YX (Qiu Yong-Xin)
;
Xu K (Xu Ke)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/17
in-plane grazing incidence x-ray diffraction
gallium nitride
mosaic structure
biaxial strain
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LATTICE-CONSTANTS
ALN
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