QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063 Fang ZD; Gong Z; Miao ZH; Xu XH; Ni HQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  LASERS  WAVELENGTH  SEPARATION  LINEWIDTH  PROPERTY  GAIN   Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by an InAlAs and InGaAs combination layer 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514 作者:  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  GROWTH  GAAS  LASERS   Growth and characterization of gainnas/gaas by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 516-520 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Zhang, W;  Wang, XU;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Adsorption  Characterization  Radiation  Molecular beam epitaxy  Nitrides   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：82/10  |  提交时间：2010/08/12 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE   RECRYSTALLIZATION, IMPURITY MIGRATION AND OPTICAL ACTIVATION OF YB-IMPLANTED SILICON INDUCED BY RAPID THERMAL ANNEALING 期刊论文 physics letters a, 1994, 卷号: 189, 期号: 5, 页码: 423-427 XU TB; ZHU PR; LI DQ; REN TQ; SUN HL; WAN SK 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 LONGITUDINAL MODE-OPERATION  RUTHERFORD BACKSCATTERING  ERBIUM  ELECTROLUMINESCENCE  LASERS