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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [15]
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Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 6
作者:
Tang Hai-Ma
;
Zheng Zhong-Shan
;
Zhang En-Xia
;
Yu Fang
;
Li Ning
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Separation by oxygen implantation
Buried oxide
Nitrogen implantation
Positive charge density
Intermediate-band solar cells based on inas/gaas quantum dots
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 3
作者:
Yang Xiao-Guang
;
Yang Tao
;
Wang Ke-Fan
;
Gu Yong-Xian
;
Ji Hai-Ming
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浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Intermediate-Band Solar Cells Based on InAs/GaAs Quantum Dots
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.38401
作者:
Wang KF
;
Yang XG
;
Yang T
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浏览/下载:44/1
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提交时间:2011/07/05
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
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浏览/下载:93/6
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提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 6
作者:
Tang Hai-Ma
;
Zheng Zhong-Shan
;
Zhang En-Xia
;
Yu Fang
;
Li Ning
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浏览/下载:104/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Silicon-on-insulator wafers
Radiation hardness
Nitrogen implantation
Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106106
Tang HM (Tang Hai-Ma)
;
Zheng ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang EX (Zhang En-Xia)
;
Yu F (Yu Fang)
;
Li N (Li Ning)
;
Wang NJ (Wang Ning-Juan)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/11/02
silicon-on-insulator wafers
radiation hardness
nitrogen implantation
Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang, EX (Zhang En-Xia)
;
Liu, ZL (Liu Zhong-Li)
;
Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan)
;
Li, N (Li Ning)
;
Li, GH (Li Guo-Hua)
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
SIMOX
Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET
期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 426-430
作者:
YU Fang
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Sensitivity of Total-Dose Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides to Doses of Nitrogen Implantation into Buried Oxides
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 862-866
Zheng Zhongshan
;
Liu Zhongli
;
Zhang Guoqiang
;
Li Ning
;
Li Guohua
;
Ma Hongzhi
;
Zhang Enxia
;
Zhang Zhengxuan
;
Wang Xi
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 565-570
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/17
SOIPMOSFET
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