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半导体研究所 [113]
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期刊论文 [98]
会议论文 [15]
发表日期
2011 [8]
2010 [6]
2009 [10]
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Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Qiao, Y. B.
;
Feng, S. W.
;
Xiong, C.
;
Wang, X. W.
;
Ma, X. Y.
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Carrier density
Cathodoluminescence
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Optical hole burning
Optical microscopy
Quantum well lasers
Semiconductor epitaxial layers
X-ray diffraction
Fabrication of ferromagnetic gamnsb by thermal diffusion of evaporated mn
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
作者:
Yang, Guandong
;
Zhu, Feng
;
Dong, Shan
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting iii-v materials
Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6
作者:
He Ji-Fang
;
Niu Zhi-Chuan
;
Chang Xiu-Ying
;
Ni Hai-Qiao
;
Zhu Yan
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Anti-phase domain
Gaas/ge interface
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:105/7
  |  
提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD
;
Zhu F
;
Dong S
收藏
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浏览/下载:64/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting III-V materials
GASB/MN DIGITAL ALLOYS
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
RAMAN-SCATTERING
MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES
EPITAXIAL LAYERS
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
STRAIN
MAGNETOELECTRONICS
SPINTRONICS
Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
Pan X
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Yin HB
;
Chen H
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROUP-III NITRIDES
INVERSION DOMAINS
HIGH-TEMPERATURE
GAN
SI(111)
ALN
SAPPHIRE
Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50
作者:
Wei HY
;
Song HP
;
Zhang B
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浏览/下载:64/2
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CORE-LEVEL PHOTOEMISSION
SB-DOPED SNO2
INN
GROWTH
GAN
NAXWO3
ALLOYS
GREEN
STATE
Electron tunneling through double magnetic barriers on the surface of a topological insulator
期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 7
作者:
Wu, Zhenhua
;
Peeters, F. M.
;
Chang, Kai
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
A study of indium incorporation in in-rich ingan grown by movpe
期刊论文
Applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356
作者:
Guo, Y.
;
Liu, X. L.
;
Song, H. P.
;
Yang, A. L.
;
Xu, X. Q.
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Movpe
In-rich ingan
Indium incorporation
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