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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：146/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaN/GaN heterostructures  In-doping  2DEG  electron sheet density  X-ray diffraction  etching  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MOBILITY  GROWTH  FILMS