×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2009 [2]
2008 [4]
2007 [2]
2001 [2]
2000 [1]
更多...
学科主题
半导体物理 [5]
半导体材料 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共13条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Native p-type transparent conductive cui via intrinsic defects
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Wang, Jing
;
Li, Jingbo
;
Li, Shu-Shen
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-zn4sb3: an ab initio theoretical study
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 3
作者:
Chen, Weibing
;
Li, Jingbo
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
收藏
  |  
浏览/下载:70/1
  |  
提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:131/30
  |  
提交时间:2010/03/08
AUGMENTED-WAVE METHOD
P-TYPE ZNO
POINT-DEFECTS
II-VI
NITROGEN
SEMICONDUCTORS
1ST-PRINCIPLES
COMPENSATION
ENHANCEMENT
First-principles study of defects in cugao(2)
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 2997-3000
作者:
Fang Zhi-Jie
;
Fang Cheng
;
Shi Li-Jie
;
Liu Yong-Hui
;
He Man-Chao
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/05/12
First-principles study of transition metal impurities in si
期刊论文
Physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: 8
作者:
Zhang, Z. Z.
;
Partoens, B.
;
Chang, Kai
;
Peeters, F. M.
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/05/12
First-principles study of transition metal impurities in Si
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201
Zhang ZZ
;
Partoens B
;
Chang K
;
Peeters FM
收藏
  |  
浏览/下载:61/7
  |  
提交时间:2010/03/08
SILICON
First-principles study of defects in CuGaO2
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 2997-3000
Fang, ZJ
;
Fang, C
;
Shi, LJ
;
Liu, YH
;
He, MC
收藏
  |  
浏览/下载:48/0
  |  
提交时间:2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRICAL-CONDUCTION
DELAFOSSITE STRUCTURE
THIN-FILMS
TRANSPARENT
CUALO2
CUINO2
OXIDE
Thermally induced fe atom transition from substitutional to interstitial sites in inp and its influence on material property
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
作者:
Zhao You-Wen
;
Miao Shan-Shan
;
Dong Zhi-Yuan
;
Lue Xiao-Hong
;
Deng Ai-Hong
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Fe activation
Annealing
Semi-insulating
Thermally induced Fe atom transition from substitutional to interstitial sites in InP and its influence on material property
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Lue, XH (Lue Xiao-Hong)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Yang, J (Yang Jun)
;
Wang, B (Wang Bo)
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/29
indium phosphide
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace