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半导体研究所 [20]
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期刊论文 [20]
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90
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Optical properties of mn+ doped gaas
期刊论文
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 784-787
作者:
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Liao, Shuzhi
;
Zhang, Fasheng
;
Liu, Junpeng
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Ion implantation
Manganese
Gaas
Electroluminescence behavior of zno/si heterojunctions: energy band alignment and interfacial microstructure
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: 5
作者:
You, J. B.
;
Zhang, X. W.
;
Zhang, S. G.
;
Tan, H. R.
;
Ying, J.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083701
作者:
Tan HR
;
Yin ZG
;
You JB
;
Zhang SG
;
Zhang XW
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浏览/下载:145/29
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提交时间:2010/05/24
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPECTROSCOPY
EPITAXY
GROWTH
FILM
SIO2
Defect evolution and accompanied change of electrical properties during the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 487, 期号: 1-2, 页码: 400-403
作者:
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Guo X
;
Wang YT
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浏览/下载:165/33
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提交时间:2010/03/08
Nitride materials
Photoluminescence degradation in gan induced by light enhanced surface oxidation
期刊论文
Journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: 3
作者:
Liu, Wenbao
;
Sun, Xian
;
Zhang, Shuang
;
Chen, Jun
;
Wang, Hui
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: art.no.076112
Liu WB (Liu Wenbao)
;
Sun X (Sun Xian)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/29
GAAS-SURFACES
Space-charge-limited currents in gan schottky diodes
期刊论文
Solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 847-852
作者:
Shen, XM
;
Zhao, DG
;
Liu, ZS
;
Hu, ZF
;
Yang, H
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Schottky diode
I-v characteristics
Space-charge-limited current
Space-charge-limited currents in GaN Schottky diodes
期刊论文
solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 847-852
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/17
GaN
Relaxation of carriers in terbium-doped zno nanoparticles
期刊论文
Chemical physics letters, 2001, 卷号: 343, 期号: 5-6, 页码: 489-492
作者:
Liu, SM
;
Liu, FQ
;
Wang, ZG
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Relaxation of carriers in terbium-doped ZnO nanoparticles
期刊论文
chemical physics letters, 2001, 卷号: 343, 期号: 5-6, 页码: 489-492
作者:
Liu SM
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浏览/下载:88/3
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提交时间:2010/08/12
NANOCRYSTALS
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