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半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1997 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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Rapid thermal annealing of arsenic implanted Si1-xGex epilayers
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1997, 卷号: 122, 期号: 4, 页码: 639-642
Zou LF
;
Wang ZG
;
Sun DZ
;
Fan TW
;
Liu XF
;
Zhang JW
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提交时间:2010/11/17
DIFFUSION
SILICON
SI
PRECIPITATION
TEMPERATURE
Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 510-514
Fan TW
;
Zou LF
;
Wang ZG
;
Hemment PLF
;
Greaves SJ
;
Watts JF
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/17
ELECTRICAL-PROPERTIES
SI0.5GE0.5 ALLOY
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
SB
SUPERLATTICES
DIFFUSION
REGROWTH
SILICON
SI
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