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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of ultra-thin Si-fin body widths upon SOI PMOS FinFETs 期刊论文 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2018, 卷号: 32, 期号: 15 作者:  Liaw, Yue-Gie;  Chen, Chii-Wen;  Liao, Wen-Shiang;  Wang, Mu-Chun;  Zou, Xuecheng 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05 SOI FinFET  threshold voltage (V-t)  drive current  short channel effect (SCE)  swing  transconductance (G(m))  drain-induced barrier lowering (DIBL)  source/drain resistance (R-SD)   Delay/power modeling and optimization of FinFET circuit modules under PVT variations: Observing the trends between the 22nm and 14nm technology nodes 期刊论文 ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems, 2016, 卷号: 12, 期号: 4 作者:  Tang, Aoxiang;  Gao, Xun;  Chen, Lung-Yen;  Jha, Niraj K. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 A high aspect ratio silicon-fin FinFET fabricated upon SOI wafer 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 卷号: 126 作者:  Liaw, Yue-Gie;  Liao, Wen-Shiang;  Wang, Mu-Chun;  Lin, Cheng-Li;  Zhou, Bin 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 SOI  FinFET  Threshold voltage  Drive current  Off currents  Subthreshold swing  DIBL  Transistor gate delay  TCAD simulation  Fully silicidation   Delay/power modeling and optimization of FinFET circuit modules under PVT variations: Observing the trends between the 22nm and 14nm technology nodes 期刊论文 ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems, 2016, 卷号: 12, 期号: 4 作者:  Tang, Aoxiang;  Chen, Lung-Yen;  Jha, Niraj K.;  Gao, Xun 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 Delay/Power Modeling and Optimization of FinFET Circuit Modules under PVT Variations: Observing the Trends between the 22nm and 14nm Technology Nodes 期刊论文 ACM JOURNAL ON EMERGING TECHNOLOGIES IN COMPUTING SYSTEMS, 2016, 卷号: 12, 期号: 4 作者:  Tang, Aoxiang;  Gao, Xun;  Chen, Lung-Yen;  Jha, Niraj K. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 FinFETs  parametric yield  PVT variations  SRAM  statistical analysis   Effects of Fin shape on sub-10 nm FinFETs 期刊论文 JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 2015, 卷号: 14, 期号: 2 作者:  Yu, Zhihao;  Chang, Sheng;  Wang, Hao;  He, Jin;  Huang, Qijun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 FinFET  Fin shape  NEGF  Fin ratio factor  NanoTCAD   纳米FinFET鳍型优化 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2015, 卷号: 35, 期号: 2 作者:  常胜;  余志灏;  王豪;  何进;  黄启俊 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 鳍型场效应晶体管  鳍形状  纳米器件模拟工具  泄漏电流  阈值电压