×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
山东大学 [18]
内容类型
期刊论文 [14]
会议论文 [4]
发表日期
2018 [3]
2017 [3]
2016 [5]
2015 [1]
2011 [5]
2009 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共18条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:山东大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Polarized Raman Scattering of Epitaxial Graphene Prepared by Thermal Decomposition of SiC
期刊论文
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: M35-M40
作者:
Qin, Xiao
;
Chen, Xiufang
;
Zhang, Fusheng
;
Xiao, Longfei
;
Xie, Xuejian
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Calcium intercalation underneath N-layer graphene on 6H-SiC(0001)
期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 703, 页码: 33-38
作者:
Zhang, Yuxi
;
Zhang, Hanjie
;
Cai, Yiliang
;
Song, Junjie
;
Qiao, Dan
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Epitaxial Graphene
Metal intercalation
Scanning tunneling microscopy
Density functional theory
High performance metal-graphene-metal photodetector employing epitaxial graphene on SiC (0001) surface
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2018, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 5180-5185
作者:
Zhang, Fusheng
;
Chen, Xiufang
;
Zuo, Zhiyuan
;
Qin, Xiao
;
Xu, Xiangang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/11
High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (0001¯) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching
期刊论文
Materials Letters, 2017, 卷号: 195, 页码: 82-85
作者:
Zhang, Fusheng
;
Chen, Xiufang
;
Yu, Cancan
;
Xu, Xiangang
;
Hu, Xiaobo
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/12
High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (0001¯) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching
期刊论文
Materials Letters, 2017, 卷号: 195, 页码: 82-85
作者:
Zhang F.
;
Chen X.
;
Yu C.
;
Xu X.
;
Hu X.
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/12
Carbon materials
Epitaxial growth
Hydrogen etching
Raman
High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000(1)over-bar) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2017, 卷号: 195, 页码: 82-85
作者:
Zhang, Fusheng
;
Chen, Xiufang
;
Yu, Cancan
;
Xu, Xiangang
;
Hu, Xiaobo
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/12
Carbon materials
Hydrogen etching
Epitaxial growth
Raman
Wafer-Scale Graphene on 4-Inch SiC
期刊论文
Materials Science Forum, 2016, 期号: 858, 页码: 1133-1136
作者:
Wan Cheng.Yu
;
Xiu Fang.Chen
;
Xiao Bo.Hu
;
Xian Gang.Xu
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/16
High Mobility,Epitaxial Graphene,Silicon Carbide (SiC),Wafer-Scale
Wafer-scale graphene on 4-inch SiC
期刊论文
Materials Science Forum, 2016, 卷号: 858, 页码: 1133-1136
作者:
Yu, Wan Cheng
;
Chen, Xiu Fang
;
Hu, Xiao Bo
;
Xu, Xian Gang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/16
Epitaxial graphene
High mobility
SiC
Wafer-scale
The effect of the surface energy and structure of the SiC substrate on epitaxial graphene growth
期刊论文
RSC ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 103, 页码: 100908-100915
作者:
Sun, Li
;
Chen, Xiufang
;
Yu, Wancheng
;
Sun, Honggang
;
Zhao, Xian
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/16
Large-area uniform epitaxial graphene on SiC by optimizing temperature field
会议论文
2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China, IFWS 2016, November 15, 2016 - November 17, 2016
作者:
Zhang, Fusheng
;
Chen, Xiufang
;
Yu, Cancan
;
Sun, Li
;
Xu, Xiangang
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/31
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace