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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6 作者:  Lu Yuan-Jie;  Feng Zhi-Hong;  Cai Shu-Jun;  Dun Shao-Bo;  Liu Bo 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/GaN heterostructures  electron mobility  drain bias  electron  scattering   Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 522-525 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Cai SJ(蔡树军);  Dun SB(敦少博);  Liu B(刘波) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/GaN heterostructures  electron mobility  drain bias  electron scattering   Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 中国物理B：英文版, 2013, 期号: 06, 页码: 518-521 作者:  吕元杰[1,2];  冯志红[1];  蔡树军[1];  敦少博[1];  刘波[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/GaN heterostructures, electron mobility, drain bias, electron scattering   Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7 作者:  Lv, Yuanjie;  Lin, Zhaojun;  Meng, Lingguo;  Luan, Chongbiao;  Cao, Zhifang 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 electron mobility  drain-to-source distance  AlGaN/GaN heterostructures  polarization Coulomb field scattering   Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 10-12 作者:  Zhao Jianzhi;  Lin Zhaojun;  Corrigan T D;  Zhang Yu;  Li Huijun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 2DEG  AlGaN/GaN heterostructure  Anneal  Electron mobility  Ohmic contact metals   Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 半导体学报：英文版, 2009, 期号: 10 作者:  赵建芝[1];  林兆军[1];  Corrigan TD[2];  张宇[1];  李惠军[3] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 异质结场效应晶体管  ALGAN  电子迁移率  退火工艺  欧姆接触  金属  流动  二维电子气   Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 Applied physics letters, 2007, 期号: 17, 页码: 173507.1-173507.3 作者:  Jianzhi Zhao;  Zhaojun Lin;  Timothy D. Corrigan;  Zhen Wang;  Zhidong You 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/27